FQPF27P06 深力科产品详情： 关于FQPF27P06 P沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术这种先进的MOSFET技术专为降低导通电阻而设计，并提供卓越性能开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式...
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-4A -40V P沟道MOSFET场效应管中文手册,AO3401A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该装置适合用作负载开关或其他一般应用。
安森美深力科FCP190N60是利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结 (SJ)MOSFET 系列产品。用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。FCP190N60非常适合开关...
TPHR8504PL是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是40 Volt N-沟道MOSFET，由N型沟道和P型衬底构成，而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。 TPHR8504PL N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压...
NVMFS5113PLWFT1G是一款汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，设计紧凑高效，具有高热性能。可湿边选项可用于增强型光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP适用于汽车应用。
P沟道MOS管技术文档（英文文档）
标签： P沟道
AOD409/AOI409 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
深力科，带你一起去了解，未来IGBT的需求： IGBT行业市场需求及IGBT芯片技术未来发展趋势是显而易见的，由于IGBT芯片技术发展具有高性能、低耗能、高集成度、低成本等重要特征，因此未来IGBT的应用范围将会更加广泛...
N沟道型MOSFET中，导电沟道是由N型材料形成的，而P沟道型MOSFET中，导电沟道是由P型材料形成的。 MOSFET的工作原理如下： 1. 当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET处于关闭状态，漏极-源极电流几乎为零。 2. 当栅极...
FQD7P20TM 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机...
深力科本周知识小课堂【分立半导体】晶体管（上）基础知识，微电子人的狂欢 今天，东芝深力科电子将为大家说明一下双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。 晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。 ...
FDWS9510L-F085车规级 PowerTrench系列 P沟道增强型MOS管，结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr )和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。
英飞凌深力科 —— 一文弄懂针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化功率MOSFET IRFP7718PBF 广泛应用于逆变器和DC-DC转换器 IRFP7718PBF 功率MOSFET系列针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化。非常适合需要...
NVMFS5A160PLZT1G适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 适用于汽车应用方案。
深力科带你了解关于汽车电子AEC Q101车规认证？AEC Q101是汽车电子领域的一个产品认证标准，它主要适用于功率MOS管和其他相关的汽车电子元件。在将车载用电子元件的可靠性与认定标准进行规格化。要进入汽车领域的元...
40V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQ4401EY-T1_GE3，功率耗散最大值7.14W，采用8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）封装，有效提升板级可靠性。SQ4401EY-T1_GE3通过AEC-Q101认证，节省PCB空间并降低成本，同时导通...
汽车级功率MOSFET是一种专门用于汽车电子领域的功率MOSFET。它具有高电压、高电流、高温、高可靠性等特点，能够满足汽车电子领域对功率器件的严格要求。汽车级功率MOSFET广泛应用于汽车电机驱动、泵电机控制、车身...
东芝低导通电阻N沟道MOSFET TPN6R303NC,LQ(S 为智能穿戴设备赋能
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