”MOS管“ 的搜索结果
介绍了mos管的常见原理，如何分辨和使用管子，非常详细
MOS管从入门到精通
最详细的MOS管讲解
标签： 硬件工程
MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也...
mos管如何并联使用？ 并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 MOS管并联方法电路...
5、MOS管基础知识
标签： 嵌入式硬件
场效应管是利用电场效应来控制的元件，输入阻抗很大，几乎无穷大（可以看作输入断路）2、MOSFET 金属——氧化物——半导体场效应管 绝缘栅型场效应管。元件符号的箭头可以理解为电子的移动方向。
二极管、三极管、MOS管
MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出， S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道...
如题，以及GS级间为什么要有直流通路？ 感谢
SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
场地和所谓的G、D、S尽量不要发生办公室恋情，至少不要影响到G、D、S干活，因此在NMOS中的P衬底所谓的低掺杂就是说正常情况下基本不导电，只是提供场地的作用（当然，都说日久生情，我们的衬底有时候也会对MOS管产生...
【模电知识总结】MOS管
标签： 嵌入式硬件
MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析 MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数： 有人可能会这样计算： 开通电流 Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA 关断电流 Ioff=...
对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。 我们测试MOS管GS波形时，有时会看到下...
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
1. 三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的... 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：...
硬件入门之什么是mos管
标签： 嵌入式硬件
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的...
MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型...
（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 在讨论前我们先做几个假设： ① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； ② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③ 在调整RCD回路前主...
SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.42V；
pwm 驱动mos管电路
标签： 嵌入式硬件
pwm 驱动mos管电路
本文主要为mos管防静电保护电路图，希望对你的学习有所帮助。
（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） MOS管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们...
VBsemi P-沟道MOSFET G4407SS-VB 具有-30V的电压额定值，-11A的电流承受能力，以及在VGS=10V和VGS=20V时的低RDS(ON)为10mΩ。4. **汽车电子系统：** 具备负载驱动能力，可应用于汽车电子系统中的电源管理和控制。...
静态漏极-源极电阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低导通电阻确保高效的能量转换。G3J14-VB的卓越性能使其成为各种电源管理模块的理想选择，为不同领域的电子设备提供高性能的电源解决方案。...
借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。 三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。 1.根据耐压选型 三极管的集电极C和发射极E之间所能...
MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...
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